#Infineon, #FZ400R12KL4C, #IGBT_Module, #IGBT, FZ400R12KL4C Infineon IGBT-Module 400A/1200V;
FZ400R12KL4C Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage VCES 1200V Kollektor-Dauergleichstrom TC = 80 °C IC,nom. 400A DC-collector current TC = 25 °C IC 650A Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current tP = 1 ms, TC = 80°C ICRM 1600A Gesamt-Verlustleistung total power dissipation TC=25°C, Transistor Ptot 5600W Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage VGES ±20V Dauergleichstrom DC forward current IF 400A Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current tP = 1 ms IFRM 800A Isolations-Prüfspannung insulation test voltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. VISOL 2500V Infineon IGBT-Module 400A/1200V